
Coraz szybszy postęp jest już dla nas właściwie czymś naturalnym. Co jakiś czas naukowcy i badacze informują o kolejnych postępach technologicznych. Tym razem specjaliści z Samsung Advance Institute of Technology (SAIT), we współpracy z Unwersytetem w Cambridge oraz Instytutem Naukowym Ulsan, odkryli nowy materiał, który może usprawnić układy scalone. Co to oznacza dla rynku?
Zacznijmy od tego, z jakim materiałem mamy do czynienia. Mowa o amorficznym azotku boru (a-BN). Pochodzi on od białego grafenu. Co ważniejsze, należy skupić się na tym, jakie możliwości daje ten materiał.
W trakcie badań odkryto, że amorficzny azotek boru ma w swojej klasie najlepszą, ultra niską przenikalność elektryczną. To oznacza, iż może być on świetnym izolatorem w układach scalonych, co w efekcie przełoży się na ich miniaturyzację.
Dzięki wysokiej izolacji poszczególne elementy układu będą mogły znajdować się bliżej siebie, nie wywołując przy tym zakłóceń elektrycznych. A-BN może więc w przyszłości wspomóc lub zastąpić półprzewodniki. Do tematu odniósł się wiceprezydent i szef laboratorium materiałów nieorganicznych w SAIT, Seongjun Park:
W ostatnim czasie rośnie zainteresowanie materiałami 2D i nowymi materiałami z nich pochodzącymi. Wciąż jednak istnieje wiele wyzwań związanych z zastosowaniem tych materiałów w istniejących procesach półprzewodnikowych. Będziemy nadal rozwijać nowe materiały, aby poprowadzić zmianę paradygmatu półprzewodników.
Tajemnica kryje się w bezpostaciowej strukturze molekularnej, w przeciwieństwie do białego grafenu, który zawiera atomy boru i azotu w strukturze heksagonalnej. Badania pokazały również, że materiał ten może być wytwarzany w stosunkowo niskiej temperaturze 400 stopni Celsjusza. Przypuszcza się, że zważywszy na właściwości a-BN będzie szeroko stosowany w układach DRAM i NAND.
Co myślicie o nowym wynalazku naukowców z SAIT? Dajcie znać w komentarzach!
Źródło: news.samsung.com
Dowiedz się więcej: